表面发射领导结构,工作,优点,缺点
这个页面覆盖结构,操作工作,优点和缺点表面发射了。它提到表面发射了优点或利益和表面发射导致缺点或缺陷。
表面发射领导结构|表面发射领导工作操作
•这是修改形式的DH领导(双异质结了)。在这种领导,光纤butt-coupled本身。这是图1中所示。
•表面发光LED结构由p型砷化镓层薄中央活跃。
•这个中心层是由n型有界AlGaAs / n+型砷化镓在顶部。
•这个中心由p型AlGaAs / p层是有界的+型砷化镓在底部的一边。
•极端最高n+p型砷化镓和底部+型砷化镓层仅用于提供低电阻欧姆接触。
•外部光纤对接连接通过蚀刻层和屏蔽与环氧树脂。
•当p型和n型材料的折射率相同,光可以从所有的半导体器件由于没有限制。然而只有活跃区域附近的表面会排放大量的光线,而从其他部分吸收。因此它被称为表面发射了。
•输出辐射是来自中央薄层即p型砷化镓层。
•最大光功率的电脑加上光纤表示如下。
•电脑=π*(第一轮)* * Rs * (NA)2
在那里,
R =在纤维表面的反射损失
=纤维截面面积
Rs =光辉从源量
NA =数值孔径
领导的表面发射好处或优势
以下是或好处表面发射的优点:
领导➨光耦合系数与外部纤维体系相对更高。因此这使得提供光耦合效率高。
➨光学损失(由于内部吸收)很低。这是因为附近的载体复合异质结。
基于➨InP / InGaAsP LED用于长波长的应用程序。
➨它提供了更高的效率与低到高辐射。
➨n-GaAs顶部接触层确保低热敏电阻和接触电阻。这使得高电流密度和高辐射强度。
➨内部吸收设备很低由于大能带封闭层。此外反射系数在晶面高使良好的光辉。
缺陷或表面发射领导的缺点
以下是缺点或表面发射领导的缺点:
➨表面发射了可以传输数据速率小于20 Mbps比边缘发射。
➨它包含短光与大型NA(数值孔径)。
还引用的优势、劣势和基础的边发射了> >和双异质结了> >。
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