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可控硅

图1描述了结构和可控硅的象征。
•完整形式的SCR可控硅。
•它是三个终端设备。
•4层的半导体。
•这是一个单向开关。它只进行电流在一个方向。因此它只可以控制直流电源也可以控制正向偏压半周的交流输入负荷。
•基本上可控硅只能控制正或负半周的交流输入。

图2描绘了可控硅的特征。

双向可控硅

图3描述了结构和双向可控硅的象征。
•“双向可控硅”这个名字来源于“三”的组合意味着三个和“AC”或交流。
•三个终端半导体器件。
•5层的半导体。
•它可以控制正负半周期交流信号输入。
•这是一个双向开关。
•双向可控硅的正向和反向特性类似于远期可控硅装置的特点。
•结构双向可控硅相当于2单独的可控硅装置连接在逆平行如图。
•类似于可控硅,一旦触发双向可控硅导电,大门就会失去控制。在这个阶段,可以关闭双向可控硅电路中通过减少电流低于当前的持有价值。
•在可控硅双向可控硅的主要缺点是,双向可控硅电流能力较低。通常大部分的双向可控硅在评级不到40 Amp和可用电压高达600伏。

图4描述了vi双向可控硅的特征。后可以从双向可控硅的特点。
•VI特征在第一和第三象限是相同的除了电压和电流的方向。这一特点在第一和第三象限可控硅特点在第一象限是一样的。
•双向可控硅可以函数与正面(+ ve)或负面(负)闸门控制电压。在正常操作中,门电压+ ve在第一象限和负在第三象限。

双向开关二极管

公布描述结构和双向开关二极管的象征。
•这是一个两个终端设备。
•它是3层双向设备。
•双向开关二极管可以切换其关闭状态,在状态应用电压的极性。
•双向开关二极管可以在PNP型或NPN型结构形式。图中描述了PNP型形式的双向开关二极管,有两个p区硅n-region隔开。

让我们比较相似和双向开关二极管和晶体管和理解双向开关二极管和晶体管之间的区别。
•结构双向开关二极管和晶体管的结构很相似。
•没有终端连接双向开关二极管和晶体管的基极层。
•所有的三个区域双向开关二极管和晶体管尺寸上都是一样的。
•掺杂浓度是相同的在这三个地区双向开关二极管与双极型晶体管。这将给双向开关二极管设备对称性质。

图6描绘了双向开关二极管的特征。
请参考双向开关二极管和双向可控硅为更多的信息。

UJT

图7描述了结构和UJT的象征。
如图所示是n型硅棒两端连接。领导是称为“B1”和“B2”。沿着酒吧两个基地之间,PN结是p型和n型酒吧排放国之间建造。这铅称为“发射极Lead-E”。

•它是短形式的单结晶体管。
•它是3终端开关装置由半导体材料制成的。
•UJT被触发时,我_E增加re-generatively直到它受限于V_E。在这里,我_E射极电流和V吗_E发射器供电。由于这个特性,UJT用于各种各样的应用,如锯齿波发生器、脉冲发生器、开关等。
•设备只有一个PN结,因此“大学”一词单结晶体管(UJT)。
•UJT也称为“双二极管为基础”。这是由于这样的事实,它只有一个PN结。来自两个基地码头的一个部分的二极管(或半导体材料)。
•在UJT发射器是重掺杂n地区轻掺杂。因此电阻两个基地码头发射极终端时是相当高的。电阻的值大约是5到10 KOhm。