MMIC
这个页面描述了MMIC,其偏置技术和MMIC制造商/供应商。
微波集成电路可以通过混合动力技术或单片技术在各种介质衬底材料。在混合集成电路,电路相互使用金属线绝缘衬底上沉积。在一个单片集成电路,使用各种程序组成,其中包含的所有组件形成扩散和离子注入。这个改变衬底材料的物理性质。相互连接在这个混合麦克风完成类似于薄膜混合集成电路。单片微波集成电路,有源设备制作在一块半导体和他们通过金属线/电线连接。
描述
正如前面提到的MMIC短形式的单片微波集成电路。有不同MMICs可供不同混合等功能,为放大等等。各种材料被用来构建MMIC,其中包括砷化镓(砷化镓),输入(磷化铟)甘(氮化镓),锗硅(硅锗)。
偏置的MMIC
在这里我们将看到被动偏压配置硅双极MMIC放大器。除了匹配MMIC 50欧姆,关键的部分是如何偏见MMIC得到最好的结果。这是解释说。
如图,射频设计师需要检查的具体数据表MMIC例如MSA 1110设备或从minicircuits时代系列。
MMIC偏压电阻器方程
Ib = (VCC-Vd) / Rb
Ib的偏置电流,Vcc是电源电压,Vd设备电压和电阻Rb是偏见。Vd, Vcc, Ib通常是放大器的数据表中提供设备。
受欢迎的MMIC制造商/供应商
1。通用宽带从迷你MMIC放大器电路。
搜索特定的MMIC设备基于规范
2。砷化镓MMIC从赫梯等各种功能块,对于低噪声放大,线性功率和宽带应用。