变容二极管应用笔记|变容二极管倍频器,调谐器
这个变容二极管应用程序注意覆盖基本描述在变容二极管倍频器和调谐器。线路图。
变容二极管用作半导体器件电压依赖的可变电容器。在反向偏置的操作取决于过渡电容。P和N地区高浓度的多数航空公司因此将低电阻的地区。这里空间电荷区域或耗尽区损耗引起的大多数运营商作为电介质。P和N地区作为电容器的盘子。提到的耗尽区作为绝缘介质层。请参考变容二极管的基本知识和应用程序。
反向偏置的pn结具有结电容称为过渡电容。它是表达如下:
CT=(ε*)/ W .....等式一
在的地方,
ε=半导体的介电常数
一个= pn结的领域
W =宽度的空间电荷区
图1描绘了变容二极管符号和变容二极管等效电路。
过渡电容的反向偏置电压(VR)是表示如下。
CT= K / (VK+ VR)n.....方程2
在的地方,
K =常数取决于半导体材料
VK膝盖=二极管电压或障碍的潜力
VR=逆向偏压
n = 1/2(对于合金结)或1/3(扩散结)
图2描绘了变容二极管调谐电路。在这个电路两个二极管D1和D2在并联谐振电路提供总可变的参数。Vc是可变直流控制电压控制二极管的反向偏压和连续电容。在亨利L电路电感中提到。
齐纳调谐电路的谐振频率表示如下:
fo = 1 /(2 *π* (L * CT)0.5].....方程3
在的地方,
CT= C1 * C2 / (C1 + C2),
这里C1和C2是马克斯。分钟的二极管的参数值
变容二极管倍频器
二极管频率因子通常可以分为肖特基势垒二极管、变容二极管类型。在变容二极管类型使用乘数非线性电抗元件。变容二极管反应类型乘数有很高的潜在的转换效率。它需要非常低的驱动功率,但表现出窄带宽和高灵敏度的操作条件。有时它还表现出稳定性问题。
变容二极管频率乘数产生很少的振幅和相位噪声。唯一的噪声源是串联电阻的热噪声的变容二极管和电阻电路损失。变容二极管的功率容量乘数受限于设备的故障。变容二极管的寄生电阻串联,消散的权力。
一个变容二极管倍频器有能力更高的效率和更高的功率电阻式倍频器。图3描述了基于集总元件的频率倍频和三倍频器。可以dvelop频率倍压器使用微带元素和变容二极管。
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