微波半导体器件
本页包括微波半导体器件其中包括微波二极管、点接触二极管、热载流子二极管、变容二极管、阶跃恢复二极管、Gunn二极管、IMPATT、TRAPATT二极管、Tunnel二极管、微波晶体管和MMIC。
正如我们所知，在微波频率下，传统的晶体管和二极管由于以下原因不能正常工作:
•引线长度在微波频率引入显著电感。
•高内部电容
•高的载体通过这些设备的运输时间
电子或质子从一个节点移动到另一个节点所花的时间称为电子或质子从一个节点移动到另一个节点所花的时间渡越时间．在二极管的情况下，例如从阴极到阳极，在晶体管中，从发射极到基极或从发射极到集电极或从源到漏极。
除了硅以外的特殊半导体材料和改变的几何形状克服了上述问题。
微波二极管
许多半导体二极管可用于微波应用程序主要设计用于照顾信号检测和混合的目的。主要有两种类型二极管即点接触二极管和肖特基势垒二极管。
点接触二极管
如图所示，带有细导线的半导体材料称为点接触二极管。这里电容非常低，因为电线接触的材料面积很小。电流很容易从阴极流到阳极，但不是相反的方向。在科技发展的早期点接触二极管是用锗制造的。目前它们是用P型硅和细钨丝作为阴极制造的。
点接触二极管主要用于混频器和探测器。它们不能承受高功率，是低信号应用的理想选择。
热载流子二极管/肖特基二极管
它被广泛用作微波二极管，又称肖特基二极管．它们由N型硅半导体(作为阴极)以及薄的沉积金属层(作为阳极)制成。镍铬、铝和金被用作阳极。它们主要用于平衡调制器以及混频器。由于高频响应，用作快速开关。
变容二极管
该微波半导体器件的主要应用变容二极管是频率倍增器。这种变容二极管器件的电容取决于施加于它的反向偏置。它们是用砷化镓制造的。阅读更多
阶跃恢复二极管
它是用砷化镓或硅微波半导体材料制成的PN结二极管。它们被用来开发具有5或10因子的乘数。阶跃恢复二极管工作频率范围约为10GHz，额定功率为50Watt。
在正向偏压操作期间，它存储电荷，当反向偏压应用时，相同的电荷保持二极管暂时接通。然后它突然下车了。
耿氏振荡器
古恩二极管被称为转移电子器件(TED)。它基本上是一块N型GaAs或InP半导体，当施加电压时形成电阻。它们的振荡频率高达约50GHz。耿氏二极管在接收机中用作本振子，也在发射机中用作频率源。这些器件表现出与标准欧姆定律相反的负电阻。阅读更多
碰撞雪崩渡越时间/俘获二极管
这些碰撞雪崩渡越时间/俘获二极管也用作振荡器。它们也是用硅、砷化镓和铟铟铟设计的PN结二极管。他们operate at high reverse bias which causes these devices to break down/avalanche. When these diodes are mounted in a cavity they will produce oscillations. They are available upto 25Watt.
隧道二极管
这种微波半导体器件用于产生低功率振荡器。当隧道二极管正向偏置会产生负阻力。阅读更多
微波晶体管
双极晶体管和场效应晶体管都可以达到40GHz。他们微波晶体管分为小信号和射频功率两大类。
MMIC
单片微波集成电路可用于小信号放大和频率转换。可达8-10 GHz的频率范围，适用于各种应用，阅读更多
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