耿氏二极管振荡器应用注释|耿氏二极管图
这个耿氏二极管振荡器应用程序注意封面耿氏二极管振荡器和耿氏振荡器的基本描述图及其电路。
这种类型的二极管广泛应用在高频电子电路。它也被称为转移电子设备或TED。不像其他二极管通常会有N和P掺杂区域,耿氏二极管只有N型半导体掺杂材料。
如下面图1所示,耿氏振荡器是由3个区域的两个严重掺杂(N +)和一个轻掺杂(N)。申请耿氏二极管的电压,大电流梯度将开发位于中间层(N)的设备。但在高潜力,中间层导电属性可以被改变,因此将减少梯度整个设备。这将防止传导电流后慢慢会减少。请参考耿氏振荡器基础和应用程序。
耿氏二极管振荡器电路|耿氏二极管图
图描绘了耿氏二极管层,传输特性和耿氏二极管振荡器电路。耿氏二极管图描绘了负阻区。
这负电阻引线电感和杂散电容结果成振荡。这种放松的振荡在大部分情况下会有大的振幅将烧坏二极管。大型电容器连接在耿氏振荡器这将有助于避免和减少失败。
这个功能是用于构建在更高频率振荡器GHz和太赫兹波段。在这里添加谐振器为了控制频率。
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