耿氏vs碰撞雪崩渡越时间和俘获vs Baritt-difference耿氏振荡器之间冲渡二极体,俘获二极管和Baritt二极管类型
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| 规范 | 耿氏振荡器 | 冲渡二极体 | 俘获二极管 | Baritt二极管 |
|---|---|---|---|---|
| 带宽 | 射频中心频率的2% | 为射频中心频率 | - - - - - - | 狭窄的 |
| 视察 频率 |
1到100 ghz | 100到0.5兆赫 | 1到10 ghz | 4到8 ghz |
| 效率 | - - - - - - | 在连续波3%,60%在脉冲模式 | 20 - 60%脉冲模式 | 低(约2%) |
| 输出功率 | 几瓦(连续波), 100年到200年瓦特(脉冲) |
1瓦特(CW), 400瓦(脉冲) | 几个100瓦(脉冲) | 低(mWatt) |
| 噪声图 | - - - - - - | 高,30 db | 高,60分贝 | 嘈杂的比冲渡二极体(< 15分贝) |
| 基本的半导体 | 砷化镓,输入 | 如果,通用电气,砷化镓,输入 | 如果 | 硅、金属 |
| 建设 | n+神经网络+砷化镓单晶 | n+皮普+反向偏压pn结 | p+神经网络+ +或者n+p p+反向偏压pn结 | pnp型p-n-i-p或pn金属或metal-n-metal 正向偏压pn结 |
| 谐波 | - - - - - - | 少 | 强大的 | 少 |
| 强度 | 是的 | 是的 | 是的 | 是的 |
| 大小 | 小 | 小 | 小 | 小 |
| 应用程序 | 振荡器 | 放大器、振荡器 | 振荡器 | 本地振荡器 |
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